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专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2020-03-27 公布专利
龙猫彩票开户2020-03-24 公布专利
2020-03-20 公布专利
2020-03-17 公布专利
2020-03-13 公布专利
2020-03-10 公布专利
2020-03-06 公布专利
2020-03-03 公布专利
2020-02-28 公布专利
2020-02-25 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
龙猫彩票开户中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于处理雷达数据的方法和装置-CN201910095353.7在审
  • --- 三星电子株式会社
  • 2019-01-30 - 2020-03-27 - G05D1/02
  • 一种用于处理雷达数据的方法包括:基于根据雷达数据生成的多普勒图来预测感兴趣角(AOI)区域;基于预测的AOI区域来调整转向信息,该转向信息被用于识别雷达数据;以及基于调整后的转向信息来确定与雷达数据相对应的到达方向(DOA)信息。一种雷达数据处理装置包括雷达传感器和处理器,该雷达传感器用于感测雷达数据,该处理器用于:基于根据雷达数据生成的多普勒图来预测AOI区域;基于预测的AOI区域来调整转向信息,该转向信息被用于识别雷达数据;以及基于调整后的转向信息来确定与雷达数据相对应的DOA信息。
  • 用于处理雷达数据方法装置
  • [发明专利]三维半导体存储器装置-CN201910836966.1在审
  • --- 三星电子株式会社
  • 2019-09-05 - 2020-03-27 - H01L27/11582
  • 提供了一种三维半导体存储器装置。该装置可以包括在包括单元阵列区和连接区的基底上的第一堆叠结构、在第一堆叠结构上的第二堆叠结构、在单元阵列区上并且穿透第一堆叠结构并使基底和第二堆叠结构的底表面暴露的第一竖直沟道孔、在单元阵列区上并且穿透第二堆叠结构并使第一竖直沟道孔暴露的第二竖直沟道孔以及放置在第一竖直沟道孔中并且与第二堆叠结构的底表面相邻的缓冲图案,第二竖直沟道孔的底部直径小于第一竖直沟道孔的顶部直径。
  • 三维半导体存储器装置
  • [发明专利]磁阻随机存取存储器件及其制造方法-龙猫彩票开户CN201910540101.0在审
  • --- 三星电子株式会社
  • 2019-06-20 - 2020-03-27 - H01L43/08
  • 提供了一种磁阻随机存取存储(MRAM)器件及其制造方法。根据实施例,MRAM器件可以包括:在包括单元区域和外围区域的衬底上的第一层间绝缘层、延伸穿过单元区域的第一层间绝缘层的下电极接触部、在每个下电极接触部上的第一结构以及在单元区域和外围区域中覆盖第一层间绝缘层和第一结构的表面的覆盖层,所述第一结构包括顺序堆叠的下电极、磁隧道结结构和上电极,其中外围区域中第一层间绝缘层上的覆盖层的上表面高于单元区域中第一结构之间的第一层间绝缘层上的覆盖层的上表面。
  • 磁阻随机存取存储器及其制造方法
  • [发明专利]发送设备及其交织方法-CN201911164841.5在审
  • --- 三星电子株式会社
  • 2015-02-23 - 2020-03-27 - H03M13/11
  • 提供了一种发送设备及其交织方法。该发送设备包括:编码器,被配置为通过基于奇偶校验矩阵进行低密度奇偶校验(LDPC)编码来产生LDPC码字;交织器,被配置为对LDPC码字进行交织;调制器,被配置为将交织后的LDPC码字映射到调制符号上,其中,调制器还被配置为将构成LDPC码字的多个比特分组之中的预定比特分组中所包括的比特映射到调制符号的预定比特上。
  • 发送设备及其交织方法
  • [发明专利]处理基站间载波聚合的激活/去激活的方法及设备-CN201911294800.8在审
  • 北京- 北京三星通信技术研究有限公司;三星电子株式会社
  • 2014-01-29 - 2020-03-27 - H04L5/00
  • 本发明实施例提供了一种处理基站间载波聚合的激活/去激活的方法,包括如下步骤:UE接收主基站或辅基站发送的SCell的激活/去激活的MAC CE;所述UE确定对应的SCell;所述UE根据所述激活/去激活的MAC CE的指示信息,将所述对应的SCell进行激活或去激活。本发明实施例还提供了一种处理基站间载波聚合的激活/去激活的设备,包括接收模块,分析模块和处理模块。本发明所提供的方法及设备,实现了在基站间载波聚合场景下,有效避免当UE收到来自主基站和辅基站的激活/去激活MAC CE时所引起的误解的问题,从而保证了激活/去激活的准确性和有效性,同时兼容基站内载波聚合时的激活/去激活的方式。
  • 处理基站载波聚合激活方法设备
  • [发明专利]具有LED闪烁减轻和减少运动模糊的HDR图像传感器-CN201811406807.X在审
  • --- 三星电子株式会社
  • 2018-11-23 - 2020-03-27 - H04N5/335
  • 提供一种支持LED闪烁减轻以减少运动模糊的HDR图像传感器及其操作方法。时序控制器电路生成控制图像传感器的操作的至少一个控制信号。分裂光电二极管(PD)像素包括可以独立地曝光于来自光源的一个或多个光突发的至少两个或更多个光电二极管。两个或更多个光电二极管的第一光电二极管具有比两个或更多个光电二极管中的第二光电二极管的第二曝光期的持续时间长的第一曝光期。第二光电二极管执行分段的曝光操作,其中第二光电二极管的多个曝光期比第一光电二极管的第一曝光期的持续时间短,并且包括连续的和分段的曝光期两者以捕获一个或多个光突发。
  • 具有led闪烁减轻减少运动模糊hdr图像传感器
  • [发明专利]具有栅极绝缘层的半导体器件-CN201910489932.X在审
  • --- 三星电子株式会社
  • 2019-06-06 - 2020-03-27 - H01L29/423
  • 本公开提供了具有栅极绝缘层的半导体器件。一种半导体器件包括:栅极沟槽;上栅极绝缘层,在栅极沟槽的上部区域的内表面上;下栅极绝缘层,在栅极沟槽的下部区域的内表面和下表面上并且连接到上栅极绝缘层;第一栅极阻挡层,在下栅极绝缘层的内侧上;栅电极,在第一栅极阻挡层的内侧上并配置为填充栅极沟槽的下部区域;以及栅极掩埋部分,在栅电极上。下栅极绝缘层的上端的内周边的直径大于上栅极绝缘层的下端的内周边的直径。
  • 具有栅极绝缘半导体器件
  • [发明专利]用于调节帧率以降低功耗的显示驱动器电路-CN201910880441.8在审
  • --- 三星电子株式会社
  • 2019-09-18 - 2020-03-27 - G09G3/36
  • 一种显示驱动器电路包括:源极驱动器,其被配置为将显示数据输出到数据线;控制器,其被配置为基于同步信号来控制源极驱动器;以及频率调节电路,其被配置为:当在从外部装置接收到第一图像数据之后的参考时间间隔期间没有从外部装置接收到第二图像数据时将同步信号的第一时间间隔从第一长度扩展至第二长度,使得显示数据不输出到数据线的时间间隔被扩展,并且当在第一时间间隔扩展至第二长度之后从外部装置接收到指令时将第一时间间隔从第二长度缩短至第三长度。
  • 用于调节降低功耗显示驱动器电路
  • [发明专利]存储器装置和读取数据的方法-CN201910827364.X在审
  • --- 三星电子株式会社
  • 2019-09-03 - 2020-03-27 - G11C16/08
  • 提供一种非易失性存储器和一种竖直NAND闪存。所述非易失性存储器包括:存储器单元区域,包括靠近存储器单元区域的第一端的外部区域和通过外部区域与第一端分开的内部区域;第一位线和第二位线;外部存储器单元串,包括连接到延伸通过外部区域的外部柱的存储器单元;内部存储器单元串,包括连接到延伸通过内部区域的内部柱的存储器单元;以及数据输入/输出电路。数据输入/输出电路包括:页面缓冲器电路,在第一读取操作期间,页面缓冲器电路连接第一位线,并且在第二读取操作期间,页面缓冲器电路连接第二位线;以及读取电压确定单元,选择在第一读取操作期间使用的第一最佳读取电压和在第二读取操作期间使用的第二最佳读取电压。
  • 存储器装置读取数据方法
  • [发明专利]电子设备、电子系统和存储器控制器-CN201910878243.8在审
  • --- 三星电子株式会社
  • 2019-09-17 - 2020-03-27 - G06F13/16
  • 根据一个整体方面,电子设备可包含经由第一路径和第二路径与存储器控制器耦接的处理器。第一路径可穿过连接存储器控制器与多个处理器的相干互连,多个处理器包含处理器。第二路径可绕过相干互连且具有相比于第一路径更低的时延。处理器可配置成将存储器访问请求发送到存储器控制器,且其中存储器访问请求包含采用第一路径或第二路径的路径请求。设备可包含存储器控制器,存储器控制器配置成履行存储器访问请求,且至少部分地基于路径请求,经由第一路径或第二路径将存储器访问结果的至少一部分发送到处理器。也提供一种电子系统和存储器控制器。
  • 电子设备电子系统存储器控制器
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-龙猫彩票开户CN201910859270.0在审
  • --- 三星电子株式会社
  • 2019-09-11 - 2020-03-27 - H01L23/528
  • 本发明提供一种半导体装置及制造半导体装置的方法,所述半导体装置包括:衬底,包括有源图案;第一层间介电层,位于所述衬底上,所述第一层间介电层在其上部部分上包括凹槽;以及下部连接线,位于所述第一层间介电层中,所述下部连接线电连接到所述有源图案,且所述下部连接线包括导电图案及阻挡图案,所述第一层间介电层的所述凹槽选择性地暴露出所述导电图案的顶部表面,所述阻挡图案位于所述导电图案与所述第一层间介电层之间,所述第一层间介电层覆盖所述阻挡图案的顶部表面。
  • 半导体装置及其制造方法

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